BC848BLT1G دیتاشیت

BC848BLT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC848BLT1G
حجم فایل 78.354 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت BC848BLT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi BC847CLT1G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 420@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 600mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi